はじめてのパワー半導体デバイス
岩室 憲幸 · 近代科学社
内容紹介
モビリティの電動化やフィジカルAI、AIデータセンターの増設など変化が著しい技術環境において、電力供給の高効率化や省エネルギー化を担うパワー半導体デバイスの重要性が増しています。 本書は大学の講義資料を基礎とし、大学・高等専門学校の学生や企業の若手技術者に向けた教科書となることを意図して構成しています。pn接合やMOS構造といった基本原理をはじめ、MOSFETやIGBTの動作原理、さらにSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料の物性特性プロセス技術まで詳細に解説。 最前線の技術課題に直結する基礎知識を体系的に修得し、次世代の学術基盤を構築するための一冊です。 第1章 パワー半導体はEV・太陽光・データセンタでどう使われるのか 第2章 パワー半導体デバイスの基本 第3章 パワー半導体デバイスの種類と特徴 第4章 シリコン MOSFET 第5章 シリコン IGBT 第6章 シリコンMOSFETならびにIGBTの作製プロセス 第7章 ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由 第8章 ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス1-SiCパワー半導体デバイスー 第9章 ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス2-GaNパワー半導体デバイスー
読書プラットフォーム解説
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